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分子束外延系統(tǒng)的使用特點(diǎn)介紹
日期：2025-05-02 19:23
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摘要：
分子束外延系統(tǒng)利用分子束外延不僅制取了雙質(zhì)結(jié)激光器、三維介質(zhì)集成光波導(dǎo)，還可以用此法使二種光波導(dǎo)重疊地生長在同一基片上，制成了從一個(gè)波導(dǎo)移向另一個(gè)波導(dǎo)的錐形輞合器，其耦合系數(shù)接近于100%。
MBE法與其他液相、氣相外延生長法相比較，其特點(diǎn)是，
①分子束外延生長是在超高真空下進(jìn)行的，殘余氣體對(duì)膜的污染少，可保持極清潔的表面。
②生長溫度低，如生長GaAs只有500~600℃，Si只有500℃。
③生長速度慢，(1~10μm/h)?？缮L超薄(幾個(gè)μm)而乎整的膜，膜層厚度、組分和雜質(zhì)濃度均可進(jìn)行**地控制。
④可獲得大面積的表面和界面有原子級(jí)平整度的外延生長膜。
⑤在同一系統(tǒng)中，可原位觀察單晶薄膜的生長過程，可以進(jìn)行生長機(jī)制的研究。外延生長的缺點(diǎn)是時(shí)間長，大批量生產(chǎn)性差，對(duì)真空條件要求高。
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